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学院博士后赵凯应邀参加国际等离子体研讨会(IOPS)并做线上报告


发布时间:2020-08-11    来源:    点击量:



因发表在物理学国际顶级期刊《Physical Review Letters》上的文章(https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.185002)引起国际同行的持续高度关注,我校等离子体物理学科博士后赵凯应国际气体电子学会议(GEC)主席Julian Schulze的邀请,于7月16日在国际等离子体研讨会上进行了题为“Nonlinear standing wave excitation in very-high-frequency capacitive discharges”的线上学术报告(约35分钟)。报告中,赵凯博士分别从1)单频容性放电中的非线性驻波效应,2)电非对称效应对非线性驻波激发的抑制作用,3)双频放电中低频源对非线性驻波激发的影响三方面内容进行了系统展示。报告结束后,国际同行对该工作表现出浓厚的兴趣,美国普林斯顿大学Igor Kaganovich教授,韩国釜山国立大学Hae June Lee教授,德国鲁尔大学Ralf Perter Brinkman教授、Julian Schulze教授及Denis Erimin博士等分别就报告中的关键问题与赵凯博士开展了深入的讨论与交流。

众所周知,容性耦合等离子体(CCP)源被广泛应用于干法刻蚀和薄膜沉积等芯片制造工艺中。近年来,随着晶圆尺寸和电源驱动频率的日趋增大,驻波效应引起的等离子体不均匀性成为制约半导体工艺设备发展的重要因素,因此引起了工业界及科研界的广泛关注。然而在前期研究中,由于实验诊断技术的极大挑战,大多研究者主要关注基频驱动频率对驻波效应的贡献,却忽略了放电中激发的非线性效应,尤其是等离子体串联共振引起的非线性驻波效应。为了对非线性驻波效应开展系统的实验研究,经多年的技术积累,赵凯博士独立自主研制了具有较高信噪比的磁探针诊断工具(https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5041814),并授权中国专利一项(专利号:CN 109031166 B)、申请美国专利一项(申请号:16/516,484)。以此为基础,针对非线性驻波效应开展了系统的实验研究。该系列研究不仅揭示了非线性驻波效应的物理机制,而且对半导体工业中等离子体均匀性优化具有重要的实际指导意义。基于该先驱性研究,赵凯博士所在课题组收到低温等离子体领域国际核心期刊Plasma Sources Sci. Technol.的约稿邀请。

国际网络等离子体研讨会(International Online Plasma Seminar,简称IOPS)由德国波鸿鲁尔大学(Ruhr-Universität Bochum, Germany)等离子体技术课题组发起,全程采用全球网络直播的形式,任何学者均可免费参与。今年以来,IOPS被同步刊登在美国等离子体科学工程密歇根研究所官方网站(https://mipse.eecs.umich.edu/online_seminars.php),其影响力得到进一步提升。IOPS主要聚焦于国际低温等离子体科学的新动态,每两周进行一次。今年将共有22位国际学者进行学术报告,上一期报告者为美国等离子体科学与工程密歇根研究所主任Mark J. Kushner教授。

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